型号:IPB65R380E6
功能描述:MOSFET
RoHS:否
制造商:STMicroelectronics
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:650 V
闸/源击穿电压:25 V
漏极连续电流:130 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms
配置:Single
最大工作温度:
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:Max247
封装:Tube
IPB65R420CFD
IPB65R600C6
IPB65R660CFD
IPB65R660CFDAATMA1
IPB70N04S307
IPB70N04S3-07
IPB70N04S4-06
IPB70N10S3-12
IPB70N10S3L-12
IPB70N10SL16
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